电子电路基础题 第35题 (2.0) 分 \x05在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )\x05A、晶体缺陷\x05B、温度\x05C、杂质浓度\x05D、掺杂工艺\x05第36题 (2.0) 分 \x05测得放大电路中某三极管各极电
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/29 03:09:27
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电子电路基础题 第35题 (2.0) 分 \x05在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )\x05A、晶体缺陷\x05B、温度\x05C、杂质浓度\x05D、掺杂工艺\x05第36题 (2.0) 分 \x05测得放大电路中某三极管各极电
电子电路基础题
第35题 (2.0) 分
\x05在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )
\x05A、晶体缺陷
\x05B、温度
\x05C、杂质浓度
\x05D、掺杂工艺
\x05第36题 (2.0) 分
\x05测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三极管的三个电极分别是( ).
\x05A、(B、C、E)
\x05B、(C、B、E)
\x05C、(E、C、B)
\x05D、(B、E、C)
\x05第37题 (2.0) 分
\x05测得三极管发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )
\x05A、放大状态
\x05B、截止状态
\x05C、饱和状态
\x05D、击穿状态
\x05第38题 (2.0) 分 在放大电路的耦合方式中,( )级间静态工作点会影响.
\x05A、变压器耦合
\x05B、直接耦合
\x05C、阻容耦合
\x05D、光电耦合
\x05第39题 (2.0) 分 二极管两端电压大于( )时,二极管才导通.
\x05A、击穿电压
\x05B、死区电压
\x05C、饱和电压
\x05D、放大电压
\x05第41题 (2.0) 分
\x05欲将方波转换成三角波,应选用( ).
\x05A、微分运算电路
\x05B、积分运算电路
\x05C、差分输入运算电路
\x05D、乘法电路
\x05第42题 (2.0) 分
\x05在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻Rb的数值,静态工作点将( ).
\x05A、升高
\x05B、降低
\x05C、不变
\x05D、不定
\x05第43题 (2.0) 分
\x05在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V,11.3V,0V,则该管属于( )
\x05A、硅PNP型
\x05B、硅NPN型
\x05C、锗PNP型
\x05D、锗NPN型
\x05第44题 (2.0) 分 场效应管属于( )器件.
\x05A、电流控制
\x05B、电压控制
\x05C、单向导电
\x05D、温度控制
\x05第45题 (2.0) 分
\x05为了提高放大器输出电流的稳定性,并降低此放大器对前级电路的影响,应采用( )负反馈.
\x05A、电压串联
\x05B、电压并联
\x05C、电流串联
\x05D、电流并联
\x05第46题 (2.0) 分
\x05要提高放大电路的输入电阻,可采用( )
\x05A、串联
\x05B、并联
\x05C、电流
\x05D、电压
\x05第48题 (2.0) 分
\x05整流滤波后输出直流电压不稳定的主要因数是( ).
\x05A、温度的变化
\x05B、负载电流的变化
\x05C、电网电压的波动
\x05D、电网电压的波动和负载电流的变化两个方面
\x05第49题 (2.0) 分
\x05在开关型稳压电路中,调整管工作在( )状态.
\x05A、放大
\x05B、饱和
\x05C、截止
\x05D、开关
电子电路基础题 第35题 (2.0) 分 \x05在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )\x05A、晶体缺陷\x05B、温度\x05C、杂质浓度\x05D、掺杂工艺\x05第36题 (2.0) 分 \x05测得放大电路中某三极管各极电
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